[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13p-2W-6] PデルタドープしたGe基板の３次元アトムプローブ評価

〇清水 康雄¹、山田 道洋²、韓 斌¹、涂 远¹、澤野 憲太郎³、植松 真司²、伊藤 公平²、井上 耕治¹、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.慶大理工、3.東京都市大)

キーワード：アトムプローブ、ゲルマニウム、デルタドーピング

我々はn型Geへの低抵抗極浅オーミック電極形成を念頭に，デルタドーピング法の確立を目指している．これまで，Pのデルタドープ前に炭素を導入することで表面への偏析が大幅に抑制され，急峻なP濃度分布が得られることを二次イオン質量分析法を用いて検証してきた．本研究では，元素の空間分布を原子スケールで調べることが可能な３次元アトムプローブ法を適用して，デルタドーピング層近傍における原子の振る舞いを評価した．