[13p-4C-1~9] Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか

[13p-4C-5] エピタキシャルリフトオフ(ELO)法により作製されたGe-On-Insulator基板のGe薄膜特性評価

〇倉島 優一¹、高木 秀樹¹、石井 裕之¹、服部 浩之¹、Chang Wen-Hsin¹、前田 辰郎¹ (1.産総研)

キーワード：GeOI、エピタキシャルリフトオフ、薄膜転写

これまでに、Ge特有の高品質なゲートスタック技術の開発と高移動度実証により、チャネル材料としては有用性が示されてきた。しかしながら、高度集積化には、Ge on SiやGe-on-Insulatorなどの基板エンジニアリングが鍵となる。そこで我々は、低温貼り合せ技術とエピタキシャルリフトオフ(ELO)法を用いた高品質なGe層の転写技術を開発してきた。今回、転写前後のGe層の結晶性をXRD(X-ray Diffraction)により評価したので報告する。