2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか

[13p-4C-1~9] Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:00 4C (432)

座長:右田 真司(産総研),最上 徹(PETRA)

15:30 〜 16:00

[13p-4C-7] Ge CMOS向け 活性化濃度向上及び超低接触抵抗技術

〇三好 秀典1、上野 哲嗣1、秋山 浩二1、廣田 良浩1、貝塚 考亘1 (1.東京エレクトロン)

キーワード：ゲルマニウム、活性化濃度、接触抵抗