[13p-4E-1~20] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[13p-4E-6] Fabrication of silicon bumps on a silicon wafer under external tensile stress at high temperature

〇Takashi Nishimura¹, Masahiko Tomitori² (1.Suzuka College, 2.JAIST)

Keywords:Silicon,Melt process,External tensile stress

本研究では、Siウェハーを局所的に歪ませながら加熱を行い溶融し、Siの対流と膨張を促すことで表面構造の形成を試みた。これまでSiウェハーへの局所応力の印加は、配線など構造体の破壊やウィスカー発生のため、積極的に行われなかった。本研究ではSiの対流を促すために積極的にSi表面へ応力を加えた。