2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[13p-4E-1~20] 6.5 表面物理・真空

2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:45 4E (437)

座長:小川 修一(東北大),大野 真也(横国大)

14:30 〜 14:45

[13p-4E-6] 加熱・加圧処理によるシリコン表面の突起構造の形成

〇西村 高志1、富取 正彦2 (1.鈴鹿高専、2.北陸先端大)

キーワード:シリコン、溶融加工、加圧処理

本研究では、Siウェハーを局所的に歪ませながら加熱を行い溶融し、Siの対流と膨張を促すことで表面構造の形成を試みた。これまでSiウェハーへの局所応力の印加は、配線など構造体の破壊やウィスカー発生のため、積極的に行われなかった。本研究ではSiの対流を促すために積極的にSi表面へ応力を加えた。