[13p-4E-1~20] 6.5 表面物理・真空

[13p-4E-7] 原子状水素吸着過程のSi(111)7×7再構成構造面内のストレス測定

〇魚住 雄輝^1,2、朝岡 秀人¹ (1.原子力機構、2.日立パワー)

キーワード：原子状水素、水素終端、表面ストレス

Si(111)7×7基板に原子状水素が吸着する過程をRHEEDと表面ストレス測定法によるその場観察を実施した結果、表面構造がSi(111)7×7からSi(111)1×1に変化し、Si表面の水素終端化を確認した。表面ストレス測定では原子状水素吸着と同時に表面ストレスが緩和する様子を捉え、原子状水素吸着時に発生する欠陥が最も抑制され、かつモノハイドライドで終端される5000Langmuir条件で1.7N/mを示しており理論計算値と良い一致を示した。