The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.5 Surface Physics, Vacuum

[13p-4E-1~20] 6.5 Surface Physics, Vacuum

Sun. Sep 13, 2015 1:15 PM - 6:45 PM 4E (437)

座長:小川 修一(東北大),大野 真也(横国大)

3:30 PM - 3:45 PM

[13p-4E-9] Measurement of the electronic states of iron silicide ultra thin films by scanning tunneling spectroscopy

〇(M1)shotaro Shimizu1, Narisige Takuma1, Ohno Shinya1, Tanaka Masatoshi1, Sagisaka Keisuke2, Kusawake Tomoko2, Fujita Daisuke2 (1.Yokohama Nat'l Univ., 2.NIMS)

Keywords:Scanning Tunneling Microscopy,Scanning Tunneling Spectroscopy

(2x2)表面構造をもつ鉄シリサイドは、応用上重要なFeSi2に対応すると考えられ、詳細な研究が行われてきた。しかし、FeSi2薄膜が半導体か金属に関して見解が分かれていた。最近、LEED-IVと第一原理計算による解析により半導体ギャップ中に金属的な表面状態が現れることが指摘された。金属的な表面電子状態の存在を直接的に示した報告は過去に見当たらないので、我々は走査トンネル分光により鉄シリサイドの表面状態に関する再検討を行った。