[13p-4E-1~20] 6.5 表面物理・真空

[13p-4E-9] 走査トンネル分光を用いた鉄シリサイド超薄膜電子状態の測定

〇(M1)清水 正太郎¹、成重 卓真¹、大野 真也¹、田中 正俊¹、鷺坂 恵介²、艸分 倫子²、藤田 大介² (1.横国大院工、2.物材機構)

キーワード：走査トンネル顕微鏡、走査トンネル分光

(2x2)表面構造をもつ鉄シリサイドは、応用上重要なFeSi₂に対応すると考えられ、詳細な研究が行われてきた。しかし、FeSi₂薄膜が半導体か金属に関して見解が分かれていた。最近、LEED-IVと第一原理計算による解析により半導体ギャップ中に金属的な表面状態が現れることが指摘された。金属的な表面電子状態の存在を直接的に示した報告は過去に見当たらないので、我々は走査トンネル分光により鉄シリサイドの表面状態に関する再検討を行った。