[13p-PA1-1~33] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[13p-PA1-22] GaGdN/GaN磁性多層膜の形成と磁気特性の評価

〇(M2)菅田 好人¹、長谷川 繁彦¹ (1.阪大産研)

キーワード：窒化ガリウム、希薄磁性半導体、磁性多層膜

窒化ガリウム（GaN）に希土類元素Gdを添加した希薄磁性半導体GaGdNにおいて、最近、我々はGaGdN/AlGaNの多重量子井戸（MQWs）構造を形成すると障壁層の厚さにより飽和磁化増大など磁気特性が変化することを報告してきた。この飽和磁化増大をもたらす要因としていくつか考えられる。今回、バンドギャップの不整合性に起因する要因について検証するためGaGdN/GaNの磁性多層膜を用い、磁気特性を評価した。