[13p-PA4-1~25] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[13p-PA4-1] Inverted quantum-dot light-emitting diode with CdSe/ZnS and CuInS₂/ZnS

〇Masatomo Hishinuma¹, Junya Maki¹, Takeshi Hukuda¹, Norihiko Kamata¹, Zentaro Honda¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:QLED,CuInS2/ZnS,quantum dot

有機半導体素子はフレキシブルや大面積化が可能という利点を有しており、特に半導体量子ドットを発光層に用いたQLED (Quantum-Dot Light-Emitting Diode) は、高い色純度と量子効率からディスプレイや照明などへの応用が期待されている。本研究では、大気中の酸素や水分に安定な逆型構造で発光層にCdSe/ZnSとCuInS₂/ZnS量子ドットを用いたQLEDを検討した。
その結果、両方の量子ドットの場合で発光が確認でき、CdSe/ZnSで最大輝度2090 cd/m²、CuInS₂/ZnSで最大輝度86 cd/m²となった。また、最大電流効率はCdSe/ZnSとCuInS₂/ZnSの時それぞれ1.65 と0.19 cd/Aとなった。