[13p-PA4-1~25] 12.4 有機EL・トランジスタ

[13p-PA4-1] CdSe/ZnS及びCuInS₂/ZnS量子ドットを用いた逆型量子ドットLED

〇菱沼 賢智¹、牧 純也¹、福田 武司¹、鎌田 憲彦¹、本田 善太郎¹ (1.埼玉大学)

キーワード：QLED、CuInS2/ZnS、量子ドット

有機半導体素子はフレキシブルや大面積化が可能という利点を有しており、特に半導体量子ドットを発光層に用いたQLED (Quantum-Dot Light-Emitting Diode) は、高い色純度と量子効率からディスプレイや照明などへの応用が期待されている。本研究では、大気中の酸素や水分に安定な逆型構造で発光層にCdSe/ZnSとCuInS₂/ZnS量子ドットを用いたQLEDを検討した。
その結果、両方の量子ドットの場合で発光が確認でき、CdSe/ZnSで最大輝度2090 cd/m²、CuInS₂/ZnSで最大輝度86 cd/m²となった。また、最大電流効率はCdSe/ZnSとCuInS₂/ZnSの時それぞれ1.65 と0.19 cd/Aとなった。