[13p-PA4-1~25] 12.4 有機EL・トランジスタ

[13p-PA4-22] 新規強誘電高分子を用いたメモリトランジスタの作製

〇村上 寛子¹、都竹 康太郎¹、鶴見 淳人¹、松井 弘之¹、今泉 暁²、中村 良輔²、三津井 親彦¹、岡本 敏宏^1,3、竹谷 純一^1,4 (1.東大新領域、2.広栄化学工業株式会社、3.JSTさきがけ、4.パイクリスタル)

キーワード：有機強誘電体、メモリトランジスタ

有機強誘電体メモリトランジスタは不揮発性・低消費電力などの特徴から、電源供給源が限られるRF-IDタグなどの有機デバイスへの搭載に特に適していると考えられる。しかし、塗布プロセスが可能な有機強誘電体材料はP(VDF-TrFE)など極めて限られており、より多様性に富んだ材料開発が求められる。今回、私達は新規有機強誘電体であるイオン性ポリマーを開発し、それを用いたメモリトランジスタの作製に成功したので報告する。