[13p-PA5-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[13p-PA5-1] ｼﾘｺﾝ窒化膜表面からのｱﾝﾓﾆｱ分子脱離

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、志賀 俊彦¹、渡辺 斉¹ (1.三菱電機　波光電)

キーワード：シリコン窒化膜、分子軌道計算、耐湿性

シリコン窒化膜の耐湿劣化反応において重要なSiNx膜表面へのH₂O分子攻撃に続くNH₃分子脱離を分子軌道計算法で解析した。H₃O^＋イオンによるN原子攻撃とOH^-イオンによるSi原子攻撃の2次反応を解析するために生成エネルギーのN-H距離・Si-O距離依存性を2次元解析した。その結果、NH₃脱離はH₃O^＋イオン攻撃の後にOH^-イオン攻撃が起こること、1.8eVの発熱反応であること、反応障壁は0.4eV程度と小さいことが分った。