[13p-PA5-1~4] 13.3 Insulator technology

△ [13p-PA5-2] A silicon oxynitridation by using thermally excited N₂O gas

〇Takahiro Takami¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxynitrided film,XPS,thermal excitation

シリコン酸窒化膜（SiON膜）形成のための反応ガスとして、亜酸化窒素（N₂O）ガスは比較的安全なガスである一方、反応性が低く窒素含有率も低い。そこで本研究ではN₂Oガスの反応性を高めるために気相熱励起し様々な成長条件で酸窒化反応を行い、X線光電子分光法（XPS）を用いて、その効果を調べた。結果として気相熱励起無しの場合に比べ、励起有りの場合ではN₂Oガスの反応性が向上し、より酸窒化膜厚が増大し続ける傾向がわかった。