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[13p-PB2-10] InGaAs/GaAs(001)成長におけるIn偏析と歪緩和
キーワード:Ⅲ-Ⅴ族半導体、X線回折
GaAs上のInGaAs成長ではあるIn組成xを超える(x>0.25)と、2次元膜から3次元島状成長に変化するSK(Stranski-Krastanow)成長様式をとることが知られている。この変化の要因としてTEM(transsmission electron microscope)-ESI(energy-selected imaging)測定より、wetting layer内から表面にInが偏析するためと考察されている(WCNHメカニズム)。このようにInGaAs/GaAs系の成長様式ではIn組成が非常に重要となる。そこで本研究は放射光を用いたその場X線回折実験を行い、In flux組成に対するInGaAs成長中のIn偏析と歪緩和を調べた。