The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

Sun. Sep 13, 2015 1:30 PM - 3:30 PM PB2 (Shirotori Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[13p-PB2-10] Indium segregation and strain relaxation in the growth of InGaAs/GaAs(001)

〇(M2)Ryota Deki1, Takuo Sasaki2, Masamitu Takahasi1,2 (1.Univ.Hyogo, 2.JAEA)

Keywords:3-5 semiconductor,XRD

GaAs上のInGaAs成長ではあるIn組成xを超える(x>0.25)と、2次元膜から3次元島状成長に変化するSK(Stranski-Krastanow)成長様式をとることが知られている。この変化の要因としてTEM(transsmission electron microscope)-ESI(energy-selected imaging)測定より、wetting layer内から表面にInが偏析するためと考察されている(WCNHメカニズム)。このようにInGaAs/GaAs系の成長様式ではIn組成が非常に重要となる。そこで本研究は放射光を用いたその場X線回折実験を行い、In flux組成に対するInGaAs成長中のIn偏析と歪緩和を調べた。