[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-10] InGaAs/GaAs(001)成長におけるIn偏析と歪緩和

〇(M2)出来 亮太¹、佐々木 拓生²、高橋 正光^1,2 (1.兵庫県立大学、2.日本原子力研究開発機構)

キーワード：Ⅲ-Ⅴ族半導体、X線回折

GaAs上のInGaAs成長ではあるIn組成xを超える（x>0.25）と、2次元膜から3次元島状成長に変化するSK（Stranski-Krastanow）成長様式をとることが知られている。この変化の要因としてTEM（transsmission electron microscope）-ESI（energy-selected imaging）測定より、wetting layer内から表面にInが偏析するためと考察されている（WCNHメカニズム）。このようにInGaAs/GaAs系の成長様式ではIn組成が非常に重要となる。そこで本研究は放射光を用いたその場X線回折実験を行い、In flux組成に対するInGaAs成長中のIn偏析と歪緩和を調べた。