[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[13p-PB2-12] Development of high quantum efficiency spin-polarized photocathode using
GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice

〇(P)Xiuguang Jin¹, Naoto Yamamoto¹, Atsushi Mano², Masahiro Yamamoto¹, Yoshikazu Takeda² (1.KEK, 2.Aichi SR)

Keywords:Strain-compensated superlattice,Spin-polarized electron source,Strain distribution

ノーベル物理学賞はしばしば素粒子物理分野に贈られ、最近ではヒッグス粒子の提唱者に贈られたが、それは高エネルギー加速器により実験的に確認されてからである。フォトカソードを高エネルギー物理に応用するには、高量子効率(>1%)が不可欠である。
新しく開発したGaAs/GaAsP歪み補償超格子フォトカソードより、92％のスピン偏極度と1.6％の量子効率が得られた。本フォトカソードは国際リニアコライダー、電子イオンコライダーへの応用が期待されている。