[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-12] GaAs/GaAsP歪み補償超格子による高効率スピン偏極電子源の開発

〇(P)金 秀光¹、山本 尚人¹、真野 篤志²、山本 将博¹、竹田 美和² (1.高エネルギー加速器研究機構、2.あいちシンクロトロン光センター)

キーワード：歪み補償超格子、スピン偏極電子源、歪み分布

ノーベル物理学賞はしばしば素粒子物理分野に贈られ、最近ではヒッグス粒子の提唱者に贈られたが、それは高エネルギー加速器により実験的に確認されてからである。フォトカソードを高エネルギー物理に応用するには、高量子効率(>1%)が不可欠である。
新しく開発したGaAs/GaAsP歪み補償超格子フォトカソードより、92％のスピン偏極度と1.6％の量子効率が得られた。本フォトカソードは国際リニアコライダー、電子イオンコライダーへの応用が期待されている。