[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-11] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価

〇(M2)中島 紳¹、中嶋 謙¹、小柳津 祥典¹、中山 智矢¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大院総研)

キーワード：プラズマ支援分子線堆積法、ガリウム添加酸化亜鉛、フレキシブル基板

II-VI族化合物半導体であるZnOは、3.37 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が10¹⁸ cm^-3台と高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積法を用いてGZO薄膜の形成と評価を行ってきた。今回は、各種フレキシブル基板上においてGZO透明導電膜の形成と評価を行った結果を報告する。