[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-18] 電界印加ゾル-ゲル法を用いたn-ZnO/Si3N4/NiO/p-Siヘテロ接合の発光特性

〇大西 智哉¹、阿部 一徳²、青山 隆¹、山口 博之¹、小宮山 崇夫¹、長南 安紀¹ (1.秋田県立大、2.秋田大)

キーワード：ZnO、ゾルーゲル法、エレクトロルミネッセンス

電界印加状態での結晶化法によるゾル-ゲルZnO薄膜を用いたn-ZnO/Si₃N₄/NiO/p-Siヘテロ接合を作製し、EL発光特性の評価した。