[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-PB6-9] UHV スパッタ法により成長したZnO 層の大気アニール処理(IV)

〇(M2)松久 健司¹、佐久間 大樹¹、羽鳥 翼¹、渡邉 和樹¹、水野 愛¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：ZnO、酸化物半導体、スパッタリング