[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-1B-10] ゾル－ゲル法によるMgO基板上でのNiO薄膜成長に及ぼす焼成温度の影響

〇國分 義弘¹、小柳 真彗¹、中込 真二¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ニッケル、ゾル－ゲル法、薄膜成長

ゾル－ゲル法によるMgO基板上でのNiO薄膜成長に対する焼成温度の影響について、Ｘ線回折による結晶構造解析とSIMSによる深さ方向の組成分析で調べた。焼成温度が900℃以上になると、MgO基板からNiO薄膜へのMgの拡散が顕著になり、薄膜はMgNiO混晶となる。また、LiドープNiO薄膜では、Mgの拡散が抑制されていることが分かった。