[14a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-1C-8] シリコンフォトニクス光集積回路におけるプロセス課題(Ⅲ)
低LER加工と表面清浄化による低損失導波路の形成

〇堀川 剛^1,2、志村 大輔²、鄭 錫煥²、徳島 正敏²、木下 啓藏²、最上 徹² (1.産総研、2.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、細線導波路、光集積回路

シリコンフォトニクス技術を用いた大規模光集積回路に必要となるシリコン細線導波路の低損失化を目的とした導波路加工プロセスの開発を行った。高解像ArF液浸露光の適用による低LER化、及び表面清浄化プロセスによる導波路界面のカーボン含有層の除去により、波長1.55μmに対するTEモード伝搬損失0.5dB/cm以下の低損失細線導波路が形成できることが確認できた。