2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:竹内 哲也(名城大),中野 貴之(静岡大)

11:30 〜 11:45

△ [14a-1D-11] GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

〇(M2)小森 大資1、財部 覚1、鈴木 健太1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、宮嶋 孝夫1、小出 典克1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、結晶成長、Sb