[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-1D-2] NH₃分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅱ): In_xGa_1-xN(x~0.3)の成長

〇山本 高勇^1,2、児玉 和樹^1,2、重川 直輝³、松岡 隆志⁴、葛原 正明¹ (1.福井大、2.JST-CREST、3.大阪市大、4.東北大)

キーワード：InGaN、MOVPE、アンモニア分解触媒

InGaNのMOVPE成長において、ペレット状NH₃分解触媒を用ることにより、500℃以下でのInGaN成長を実現するとともにC汚染量の大幅低減の可能性を見出し、本方法が高品質InGaN膜成長法として発展する可能性を見出した。