2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月14日(月) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:竹内 哲也(名城大),中野 貴之(静岡大)

09:30 〜 09:45

[14a-1D-4] 半極性(1–101)GaNストライプ結晶上高In組成InGaN成長

〇久志本 真希1、本田 善央1、天野 浩1,2 (1.名大院工、2.赤崎記念研究センター)

キーワード：InGaN、半極性、高In