[14a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-1D-7] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InGaN/GaN MQWの成膜特性

〇家近 泰¹、高橋 英志¹、佐藤 裕輔¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ・TFW)

キーワード：InGaN/GaN多重量子井戸、200 mmシリコンウエハ、MOCVD

枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InGaN/GaN MQWの成膜パラメータの平均In組成およびMQWの周期への影響を調べた。検討したパラメータを用いて、MQWの構造の微調整が可能である。