2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[14a-2B-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2015年9月14日(月) 09:30 〜 12:15 2B (211-2)

座長:今北 健二(神戸大)

12:00 〜 12:15

[14a-2B-10] ZnO:GaとZnGa2O4ホスト結晶膜にドープされたEu3+の発光

〇赤沢 方省1、篠島 弘幸2 (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード:ZnO:Eu、ZnO:Ga, Eu、ZnGa2O4:Eu

ZnO結晶中にドープされたEu3+イオンからの発光を得るのが困難なのは、Eu3+とZn2+の価数やイオン半径の違いによって、Zn2+サイトをEu3+で置換しにくいためと考えられている。ZnO結晶にGa3+イオンを添加してEu3+とサイト置換と競合させる実験、及びホスト結晶をZnGa2O4に変えて結晶場の環境を変える実験を行い、上記仮説を検証した。