Large voltage-induced magnetic anisotropy change in Cr/ultrathin Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions

Takayuki Nozaki

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[14a-2J-1~12] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:15 2J (223)

座長:谷口知大(産総研)

10:15 〜 10:30

▲ [14a-2J-6] Large voltage-induced magnetic anisotropy change in Cr/ultrathin Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions

〇Takayuki Nozaki¹, Anna Koziol-Rachwal¹, Witold Skowronski^1,2, Zayets Vadym¹, Yoichi Shiota¹, Shingo Tamaru¹, Hitoshi Kubota¹, Akio Fukushima¹, Shinji Yuasa¹, Yoshishige Suzuki^1,3 (1.AIST, 2.AGH. Univ., 3.Osaka Univ.)

キーワード：Voltage control of magnetic anisotropy,Tunnel Magnetoresistance,Spintronics