[14a-2T-1~12] 17.1 成長技術

△ [14a-2T-8] CF₄プラズマ処理を用いた4H-SiC(0001)上グラフェンの特性評価

〇椎名 裕亮¹、西村 智朗²、中村 徹¹ (1.法政大理工、2.法政大イオン)

キーワード：グラフェン、炭化ケイ素、プラズマ

SiC熱分解法によるグラフェンは大面積に作製できるが、移動度が小さいことが知られている。また、プラズマ処理がSiC表面の平滑化へ有効である。そこで、グラフェン形成前にSiCに対してプラズマ処理を行った。本研究では、プラズマ処理を用いたSiC上グラフェンの特性を評価した。