[14a-2T-1~12] 17.1 Growth technology

△ [14a-2T-8] Evaluation of Graphene on 4H-SiC(0001) with CF₄ Plasma Treatment

〇YUSUKE SHIINA¹, TOMOAKI NISHIMURA², TOHRU NAKAMURA¹ (1.Hosei Univ., 2.Ion Beam, Hosei Univ)

Keywords:Graphene,SiC,plasma

SiC熱分解法によるグラフェンは大面積に作製できるが、移動度が小さいことが知られている。また、プラズマ処理がSiC表面の平滑化へ有効である。そこで、グラフェン形成前にSiCに対してプラズマ処理を行った。本研究では、プラズマ処理を用いたSiC上グラフェンの特性を評価した。