[14a-2U-1~12] 17.1 成長技術

[14a-2U-2] NEXAFSその場測定を用いたSiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成初期過程の解明

〇丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹、雨宮 健太² (1.名城大理工、2.KEK PF)

キーワード：カーボンナノチューブ、NEXAFS、SiC

SiC表面分解法によりカーボンナノチューブ（CNT)が生成する過程をNEXAFS法によるその場測定により明らかにした。Siの脱離とともにSiC結晶表面に平行にグラフェンフラグメントが形成され，その後，Siの脱離とともにCNTの側壁部分が形成されCNTが垂直配向していく様子が観測された。測定結果は最近のDFTB/MDによるシミュレーション結果とよく一致した。