[14a-2U-1~12] 17.1 Growth technology

△ [14a-2U-5] Edge investigation of metal-catalyst free CVD grown nanotube forest on SiC substrate

〇(M1)Yu HIRANO¹, Masafumi INABA¹, Kazuma SUZUKI¹, Wenxi FEI¹, Wataru NORIMATSU², Michiko KUSUNOKI², Hiroshi KAWARADA¹ (1.Waseda Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:carbon nanotube

SiC表面分解法で形成したカーボンナノチューブフォレストを下地として熱CVD成長を行い、成長したCNTの圧力および流量依存性、開端後のCNT端面の活性化温度について報告する。
SiC 表面分解法で30 nm程度のCNTフォレストを形成し、フォレストの終端キャップを酸により開端した。その後、熱CVD法によりCNTを成長させ、ラマン分光測定、SEM/TEMにより評価した。さらに、開端後のCNTフォレストを水素雰囲気下で加熱しXPSにより酸素の脱離温度を調査した。