[14a-2U-1~12] 17.1 成長技術

△ [14a-2U-5] SiC上カーボンナノチューブフォレストのメタルフリーCVD成長におけるCNT端面の調査

〇(M1)平野 優¹、稲葉 優文¹、鈴木 和真¹、費 文茜¹、乗松 航²、楠 美智子²、川原田 洋¹ (1.早稲田大学理工学術院、2.名古屋大学エコトピア研)

キーワード：カーボンナノチューブ

SiC表面分解法で形成したカーボンナノチューブフォレストを下地として熱CVD成長を行い、成長したCNTの圧力および流量依存性、開端後のCNT端面の活性化温度について報告する。
SiC 表面分解法で30 nm程度のCNTフォレストを形成し、フォレストの終端キャップを酸により開端した。その後、熱CVD法によりCNTを成長させ、ラマン分光測定、SEM/TEMにより評価した。さらに、開端後のCNTフォレストを水素雰囲気下で加熱しXPSにより酸素の脱離温度を調査した。