2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)

座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)

09:15 〜 09:30

[14a-4C-2] GeO2/Ge界面特性に対するHf-Post Metallization Annealingの改善効果

〇新井田 淳平1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

キーワード:ゲルマニウム、ハフニウム、PMA