09:15 〜 09:30
[14a-4C-2] GeO2/Ge界面特性に対するHf-Post Metallization Annealingの改善効果
キーワード：ゲルマニウム、ハフニウム、PMA
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 4C (432)
座長:渡部 平司(阪大),井上 真雄(ルネサス)
09:15 〜 09:30
キーワード：ゲルマニウム、ハフニウム、PMA