The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Nano structures and quantum phenomena

[14a-4D-1~11] 13.7 Nano structures and quantum phenomena

3.11と13.7のコードシェアセッションあり

Mon. Sep 14, 2015 9:00 AM - 11:45 AM 4D (436)

座長:尾崎 信彦(和歌山大)

10:00 AM - 10:15 AM

[14a-4D-5] Photoluminescence characteristics of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice

〇Yoshiaki Furukawa1, Masaaki Nakayama1 (1.Osaka City Univ.)

Keywords:electron-hole droplet,type-II superlattice,photoluminescence

本研究では、μsオーダーの極めて長い励起子寿命を持つGaAs/AlAsタイプII超格子を対象として、電子・正孔液滴の形成を定常発光スペクトル、及び発光ダイナミクスの観点から測定した。その結果、定常発光スペクトルの励起強度依存性の測定から、閾値性を有する電子・正孔液滴発光を観測した。また、時間分解発光スペクトルの測定から、電子・正孔プラズマから電子・正孔液滴への転移過程について調べた。