[14a-PA1-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-PA1-5] PZT薄膜プロセスモニターPrとd_33,fの比較

〇牧本 なつみ¹、伊藤 寿浩^1,2、小林 健¹ (1.産総研、2.東大)

キーワード：圧電定数、残留分極

圧電MEMSプロセスにおいて、PZT膜膜を微細加工する際、プロセスモニターとして従来は残留分極Prを指標とするのが主であった。前回我々は、圧電定数d_33,fが実デバイスで必要な圧電定数d₃₁と一定の関係にあり、MEMSプロセスの早い段階から測定できることを報告した。今回は、圧電定数d_33,fのプロセスモニターとしての適性を、残留分極Prと比較し、プロセスモニター行う場合により効率が良いことを明らかにした。