[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-1] 硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の深さ方向化学結合状態評価

〇臼田 宏治¹、高石 理一郎¹、吉木 昌彦¹、須田 耕平²、小椋 厚志²、富田 充裕¹ (1.東芝、2.明治大学)

キーワード：GeSn、HAXPES、放射光

GeSn薄膜は、Siに代わる高移動度チャネル、ひずみストレッサー、或いは光学素子材料などへの応用が期待される。しかし、Snの固溶限界は１atomic％オーダとされ、表面偏析を抑えた高品質薄膜実現には、Sn濃度を％オーダで制御した結晶成長技術の確立とその薄膜評価が重要である。そこで、硬X線光電子分光法（HAXPES）による異なるSn濃度のGeSn薄膜の深さ方向化学結合状態評価を試みたので報告する。