[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-3] めっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化2 -成膜条件依存性-

〇内田 恭敬¹、舩山 朋子¹、木暮 嘉明¹、葉 文昌² (1.帝京科学大、2.島根大総理工)

キーワード：ゲルマニウム、めっき法

めっき法により堆積したGe膜の成膜条件を変えた試料にCu誘起結晶化法を適用した。結晶成長の様子をXRD測定により調べた結果、めっき時の電流が多きときには成膜中に核発生を生じ、配向性が劣化していることが分かった。EBSD測定の結果からめっき時の電流を60から100mAまで変えたところ、80mAのときに粒径が最大であること、100mAに比べこれより小さい電流値では粒径分布が異なることも分かった。