[14a-PB6-1~7] 15.5 Group IV crystals and alloys

[14a-PB6-7] Fabrication of crystalline Ge thin films by cosputtering of Au and Ge: Effect of phosphorus doping

〇(M1)Tatuya Suzuki¹, Satoshi Takatorige¹, Takatoshi Sugiyama¹, Kimio Kamiko², Kentaro Kyuno^1,3 (1.Shibaura Inst. of Tech., 2.Inst. of Industrial Sci. ,Univ. of Tokyo, 3.RCGI, SIT)

Keywords:semiconductor,Germanium

AuとGeを同時に加熱基板上にスパッタすることで結晶化が効率的に進むことを報告してきたが今回は、Pも同時に供給することによって結晶Ge薄膜にリンドープが与える影響について実験した。結果、Pをドープせずに作製したものは今までにあった報告と同様にチャネルコンダクタンスが減少したが、Pをドープして作製した試料ではチャネルコンダクタンスが増加した。このことからPの一部はドナーとして働いていると考えられる。