[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-7] AuとGeの同時スパッタによる結晶Ge薄膜の作製：リンドープの影響

〇(M1)鈴木 竜也¹、高鳥毛 怜¹、杉山 貴俊¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SITグリーンイノベーション研究センター)

キーワード：半導体、ゲルマニウム

AuとGeを同時に加熱基板上にスパッタすることで結晶化が効率的に進むことを報告してきたが今回は、Pも同時に供給することによって結晶Ge薄膜にリンドープが与える影響について実験した。結果、Pをドープせずに作製したものは今までにあった報告と同様にチャネルコンダクタンスが減少したが、Pをドープして作製した試料ではチャネルコンダクタンスが増加した。このことからPの一部はドナーとして働いていると考えられる。