[14a-PB7-1~14] 16 Amorphous and Microcrystalline Materials

[14a-PB7-3] Phase change behavior of Cr-Ge-Te thin films

〇(M1)Shogo Hatayama¹, Daisuke Ando¹, Yuji Suto¹, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor,phase change random access memory

近年、メモリの微細化技術は限界を迎えており、次世代型の不揮発性メモリへの期待が高まっている。なかでも相変化メモリ(PCRAM)はコスト・集積度の面で優れており注目を集めている。現在、実用化されているPCRAMにはGST(Ge2Sb2Te5)が用いられているが、GSTは耐熱性に乏しいという問題がある。そこで本研究では、遷移金属Crを相変化材料GeTeに添加し、Crの添加がGeTeの結晶化温度を大きく上昇させ、耐熱性の向上につながるという結果を見出した。