[14a-PB7-1~14] 16 Amorphous and Microcrystalline Materials

[14a-PB7-5] How near can cast Si approach CZ-Si? – Influence of grain boundaries and dislocations -

〇Kentaro Kutsukake¹, Momoko Deura¹, Yutaka Ohno¹, Ichiro Yonenaga¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Silicon,Solar cells,Crystal defects

我々は、シリコン結晶中の欠陥(粒界と転位)の電気的特性の評価について、太陽電池動作と同じ環境での測定であるPLイメージングを利用した方法を提案した。本報告では、欠陥のキャリア再結合特性について我々が求めた値とこれまでの報告値を元に、粒界と転位がキャリア寿命に与える影響を見積り、無欠陥結晶(CZ-Si)に対するキャストSiの欠陥密度の目標を示す。