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[14a-PB7-5] キャストSiはどこまでCZ-Siに近づけるか? ―粒界と転位の影響―
キーワード:シリコン、太陽電池、結晶欠陥
我々は、シリコン結晶中の欠陥(粒界と転位)の電気的特性の評価について、太陽電池動作と同じ環境での測定であるPLイメージングを利用した方法を提案した。本報告では、欠陥のキャリア再結合特性について我々が求めた値とこれまでの報告値を元に、粒界と転位がキャリア寿命に与える影響を見積り、無欠陥結晶(CZ-Si)に対するキャストSiの欠陥密度の目標を示す。