2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

14:00 〜 14:15

[14p-1C-4] DRAMセルアレイの電荷保持特性を用いた3DICにおける局所曲げ応力の影響評価

〇谷川 星野1、木野 久志2、福島 誉史1、小柳 光正3、田中 徹1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

キーワード:三次元集積回路、DRAM