3:30 PM - 3:45 PM
[14p-1C-9] Preparation of low-k Materials by Thermal Oxidation of p Type Porous Si
Keywords:Low-k Material,Porous Si
誘電率 k = 4 以下の低誘電率材料を,p型Si基板で形成した多孔質シリコンを熱酸化処理することで作製した。化成電流密度 200mA/cm2 で陽極化成した多孔質シリコンを熱酸化したところ,酸化処理前の多孔度と処理後の誘電率の間には関係が見られ,多孔度の増加と共に誘電率が減少することが明らかになった。また,多孔度90%の試料を酸化処理すると誘電率 k = 1.5 程度の試料が得られた。