[14p-1C-1~16] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[14p-1C-9] Preparation of low-k Materials by Thermal Oxidation of p Type Porous Si

〇Tomihiro Sonegawa¹, Noriaki Oyama¹ (1.Univ. of the ryukyus)

Keywords:Low-k Material,Porous Si

誘電率 k = 4 以下の低誘電率材料を，p型Si基板で形成した多孔質シリコンを熱酸化処理することで作製した。化成電流密度 200ｍA/cm² で陽極化成した多孔質シリコンを熱酸化したところ，酸化処理前の多孔度と処理後の誘電率の間には関係が見られ，多孔度の増加と共に誘電率が減少することが明らかになった。また，多孔度90％の試料を酸化処理すると誘電率 k = 1.5 程度の試料が得られた。