[14p-2A-1~17] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[14p-2A-12] 薄膜表面・界面近傍でのポリ(3-ヘキシルチオフェン)の分子配向構造

〇水野 佑¹、大野 慶太¹、原 光生¹、永野 修作²、山本 勝宏³、関 隆広¹ (1.名大院工、2.名大VBL、3.名工大院工)

キーワード：導電性高分子、分子配向、斜入射小角X線散乱

薄膜の表面や基板界面では、高分子は、バルクと異なるコンフォメーションや特性を示すことが報告されている。導電性高分子Head-to-Tail型Poly(3-hexylthiophene)(HT-P3HT)は、薄膜調製時にスピンコート法などの溶媒揮発速度が大きい手法にて製膜すると様々な方向の配向ドメインが混在する。本研究では、膜厚の異なるHT-P3HT薄膜の分子配向を斜入射小角X線散乱により解析し、入射角依存性による深さ方向解析による表面・界面近傍の分子配向構造を考察した結果を報告する。