[14p-2Q-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[14p-2Q-4] 成長初期シーケンスの検討によるSi上直立InPナノワイヤの安定形成

〇河口 研一¹、須藤 久男²、松田 学²、竹本 一矢²、山本 剛之²、荒川 泰彦^1,3 (1.東大ナノ量子、2.富士通研、3.東大生研)

キーワード：ナノワイヤ、Si上III-V

我々は、Siパターン基板上でのInP系ナノワイヤの研究開発を行っている。今回、直立ナノワイヤの安定形成に向けて成長初期シーケンスを検討した。TMInプリフローとIn自己触媒形成工程からなる初期シーケンスが、直立ナノワイヤのVLS成長に寄与することを確認した。さらに、この直立InPナノワイヤをコアとした径方向InP/InAsP/InP量子井戸ナノワイヤより、近赤外応用として汎用性の高い波長1.3 μm帯をカバーするヘテロナノワイヤが得られた。